S2P-iM-LE-M - Установка цифровой безмасковой фотолитографии с оптимизацией для микроструктур
- Источник излучения: светодиод 405 нм.
- Минимальный размер элемента от 0,5 мкм.
- Скорость экспонирования до 30 мм²/мин.
- Размер подложки до 8 дюймов.
Установка цифровой безмасковой фотолитографии S2P-iM-LE-M предназначена для обработки микро- и наноструктур на уровне пластин в формате 2D/2,5D методом безмасковой УФ-литографии. Источником излучения служит светодиод с длиной волны 405 нм и средней мощностью не менее 20 Вт. Экспонирование выполняет система на микрозеркалах с разрешением не менее 1920 × 1080 пикселей и 256 уровнями серого.
Высокоточный столик XYZ с диапазоном перемещения 200 × 200 × 15 мм позволяет экспонировать область до 200 × 200 мм на подложках размером от 1 до 8 дюймов и толщиной до 15 мм. В состав установки входят автоматическая система обнаружения границы раздела фоторезиста и подложки, система автоматической коррекции ошибок с объективами 20× и 2× и многоуровневая система виброизоляции. Установка поставляется с программным обеспечением и всей необходимой оснасткой.
Особенности:
- Обработка микро- и наноструктур на уровне пластин в формате 2D/2,5D.
- Минимальный размер элемента не более 0,5 мкм, шероховатость края 0,02 мкм.
- Точность совмещения 0,24 мкм.
- Система экспонирования на микрозеркалах с разрешением не менее 1920 × 1080 пикселей.
- Полутоновое экспонирование: 256 уровней серого.
- Подложки размером от 1 до 8 дюймов и толщиной до 15 мм.
- Автоматическое обнаружение границы раздела фоторезиста и подложки, автоматическая коррекция ошибок.
- Многоуровневая система виброизоляции.
- Программное обеспечение и необходимая оснастка в комплекте.
| Параметр | Значение | Ед. измерения |
|---|---|---|
| Рабочие характеристики | ||
| Минимальный размер элемента | ≤ 0,5 | мкм |
| Минимальная ширина линий и промежутков (L/S) | ≤ 0,8 | мкм |
| Шероховатость края | 0,02 | мкм |
| Точность совмещения | 0,24 | мкм |
| Максимальная скорость экспонирования | 30 | мм²/мин |
| Функциональные системы | ||
| Источник излучения | Светодиод | – |
| Длина волны излучения | 405 | нм |
| Средняя мощность излучения | ≥ 20 | Вт |
| Система экспонирования | На микрозеркалах | – |
| Разрешение системы экспонирования | ≥ 1920 × 1080 | пикс. |
| Диапазон перемещения столика (X × Y × Z) | 200 × 200 × 15 | мм |
| Точность позиционирования (XY) | ± 0,35 | мкм |
| Двунаправленная воспроизводимость позиционирования (XY) | ± 0,1 | мкм |
| Точность позиционирования (Z) | ± 0,4 | мкм |
| Двунаправленная воспроизводимость позиционирования (Z) | ± 0,2 | мкм |
| Размер подложки | 1–8 | дюйм |
| Толщина подложки | 0–15 | мм |
| Максимальная площадь экспонирования | 200 × 200 | мм |
| Система обнаружения границы раздела фоторезиста и подложки | Автоматическая | – |
| Разрешение позиционирования по границе раздела | ≤ 10 | нм |
| Диапазон оптической фокусировки | 180 | мкм |
| Система коррекции ошибок | Автоматическая | – |
| Объективы | 20× / 2× | – |
| Полутоновое экспонирование | 256 уровней серого | – |
| Поддерживаемые форматы файлов | BMP, PNG, TIFF, DXF, GDSII | – |
| Система виброизоляции | Многоуровневая | – |
| Комплект поставки | Программное обеспечение и необходимая оснастка | – |
- Изготовление микро- и наноструктур на пластинах.
- Полутоновая литография 2,5D-микрорельефа.
- Прямая запись топологии без фотошаблонов.
